Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FD1000R17IE4BOSA2
FD1000R17IE4BOSA2

FD1000R17IE4BOSA2 Infineon Technologies

Infineon-FD1000R17IE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f20782f4bd1 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+41328.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FD1000R17IE4BOSA2 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Not For New Designs, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 6250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FD1000R17IE4BOSA2 за ціною від 54291.16 грн до 55399.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FD1000R17IE4BOSA2 FD1000R17IE4BOSA2 Виробник : Infineon Technologies ds_fd1000r17ie4_2_1_zh-en.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W Tray
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55399.42 грн
25+54291.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4BOSA2 FD1000R17IE4BOSA2 Виробник : Infineon Technologies ds_fd1000r17ie4_2_1_zh-en.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W Tray
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55399.42 грн
25+54291.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4BOSA2 FD1000R17IE4BOSA2 Виробник : Infineon Technologies ds_fd1000r17ie4_2_1_zh-en.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55399.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4BOSA2 FD1000R17IE4BOSA2 Виробник : Infineon Technologies ds_fd1000r17ie4_2_1_zh-en.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W Tray
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55399.42 грн
25+54291.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4BOSA2 FD1000R17IE4BOSA2 Виробник : Infineon Technologies ds_fd1000r17ie4_2_1_zh-en.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W Tray
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55399.42 грн
25+54291.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4BOSA2 FD1000R17IE4BOSA2 Виробник : Infineon Technologies ds_fd1000r17ie4_2_1_zh-en.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4BOSA2 FD1000R17IE4BOSA2 Виробник : Infineon Technologies ds_fd1000r17ie4_2_1_zh-en.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250000mW Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4BOSA2 FD1000R17IE4BOSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FD1000R17IE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f20782f4bd1 Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.