Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FD16001200R17HP4B2BOSA2

FD16001200R17HP4B2BOSA2 Infineon Technologies


on-ih7b_140x190_al_pi-materialcontentdatasheet-v08_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
SP001051994
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FD16001200R17HP4B2BOSA2 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE VCES 1700V 1600A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Dual Brake Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1600A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 10500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 130 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FD16001200R17HP4B2BOSA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FD16001200R17HP4B2BOSA2 FD16001200R17HP4B2BOSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FD1600_1200R17HP4_B2-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e4ef1716b70 Description: IGBT MODULE VCES 1700V 1600A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Brake Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 10500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 130 nF @ 25 V
товар відсутній