FD200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7456.71 грн |
| 10+ | 5998.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FD200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1050 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FD200R12KE3HOSA1 за ціною від 8133.22 грн до 8133.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FD200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 5-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FD200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 5-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FD200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 5-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |