FD200R12KE3PHOSA1

FD200R12KE3PHOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FD200R12KE3P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253e9fadc0153efbccd9b3c14 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FD200R12KE3PHOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 200A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FD200R12KE3PHOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FD200R12KE3PHOSA1 FD200R12KE3PHOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FD200R12KE3P_DS_v02_00_EN-1731366.pdf IGBT Transistors MEDIUM POWER 62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.