FD400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4795.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FD400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FD400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2kW, Verlustleistung: 2kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 580A, Produktpalette: C Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 580A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції FD400R12KE3HOSA1 за ціною від 11366.42 грн до 17508.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FD400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W MODPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 580 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FD400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 5-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FD400R12KE3HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FD400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 2kW Verlustleistung: 2kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 580A Produktpalette: C Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 580A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
|
FD400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 5-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FD400R12KE3HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13499.65 грн |
| 10+ | 11366.42 грн |
| FD400R12KE3HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 5-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 5-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 17508.18 грн |
| FD400R12KE3HOSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FD400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2kW
Verlustleistung: 2kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 580A
Produktpalette: C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 580A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - FD400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2kW
Verlustleistung: 2kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 580A
Produktpalette: C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 580A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FD400R12KE3HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 5-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 5-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)