Технічний опис FD500R65KE3KNOSA1 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; 9.6kW, Type of semiconductor module: IGBT, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 9.6kW.
Інші пропозиції FD500R65KE3KNOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FD500R65KE3KNOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; 9.6kW Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 9.6kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
FD500R65KE3KNOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 6500V 500A 9600W Tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FD500R65KE3KNOSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 9.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 9.6kW
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 9.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 9.6kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FD500R65KE3KNOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 6500V 500A 9600W Tray
Trans IGBT Module N-CH 6500V 500A 9600W Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.