FD6M043N08 ONSEMI

FAIRS26158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FD6M043N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
51+	610.01 грн

Мінімальне замовлення: 51

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FD6M043N08 ONSEMI

Description: MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15, Packaging: Tube, Package / Case: EPM15, Mounting Type: Through Hole, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: EPM15.

Інші пропозиції FD6M043N08

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	FD6M043N08	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15 Packaging: Tube Package / Case: EPM15 Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: EPM15	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.