Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDA032N08
FDA032N08

FDA032N08 ON Semiconductor

fda032n08-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+109.31 грн
123+103.40 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA032N08 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDA032N08 за ціною від 110.78 грн до 409.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDA032N08 FDA032N08 Виробник : ON Semiconductor fda032n08-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+192.84 грн
7+117.12 грн
10+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 Виробник : ON Semiconductor fda032n08-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+219.64 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 Виробник : ON Semiconductor fda032n08-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 156150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+219.64 грн
500+208.02 грн
1000+196.41 грн
10000+178.19 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 Виробник : ON Semiconductor fda032n08-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+219.64 грн
500+208.02 грн
1000+196.41 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 Виробник : onsemi FDA032N08-D.PDF MOSFETs PT3 75V 3.2mohm
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.16 грн
10+205.27 грн
100+163.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 Виробник : ONSEMI fda032n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
Technology: PowerTrench®
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
On-state resistance: 3.2mΩ
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.35 грн
10+247.63 грн
30+210.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 Виробник : ONSEMI fda032n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
Technology: PowerTrench®
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
On-state resistance: 3.2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.82 грн
10+308.59 грн
30+253.14 грн
120+244.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 Виробник : onsemi fda032n08-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.55 грн
30+222.26 грн
120+184.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08
Код товару: 169103
Додати до обраних Обраний товар

fda032n08-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 Виробник : ON Semiconductor fda032n08-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 Виробник : ON Semiconductor fda032n08.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 Виробник : ONSEMI FDA032N08-D.pdf Description: ONSEMI - FDA032N08 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.