Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDA16N50-F109
FDA16N50-F109

FDA16N50-F109 ON Semiconductor

fda16n50_f109-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+226.28 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA16N50-F109 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDA16N50-F109 за ціною від 102.26 грн до 285.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDA16N50-F109 FDA16N50-F109 Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584337-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.58 грн
30+161.19 грн
120+130.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50-F109 FDA16N50-F109 Виробник : onsemi / Fairchild ONSM-S-A0003584337-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 500V 16.5A NCH
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.81 грн
10+221.66 грн
30+153.76 грн
120+122.12 грн
270+111.82 грн
510+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50-F109 FDA16N50-F109 Виробник : ON Semiconductor fda16n50_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50-F109 FDA16N50-F109 Виробник : ON Semiconductor fda16n50_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50-F109 FDA16N50-F109 Виробник : ONSEMI FDA16N50_F109.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 0.38Ω
Power dissipation: 205W
Gate charge: 45nC
Technology: UniFET™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO3PN
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50-F109 FDA16N50-F109 Виробник : ONSEMI FDA16N50_F109.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 0.38Ω
Power dissipation: 205W
Gate charge: 45nC
Technology: UniFET™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.