| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 272.39 грн |
| 10+ | 147.19 грн |
| 120+ | 106.19 грн |
| 510+ | 97.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA16N50-F109 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDA16N50-F109 за ціною від 102.68 грн до 322.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDA16N50-F109 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDA16N50-F109 | onsemi |
MOSFETs 500V 16.5A NCH |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDA16N50-F109 | ONN |
|
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDA16N50-F109 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.86 грн |
| 30+ | 149.12 грн |
| 120+ | 122.30 грн |
| FDA16N50-F109 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V 16.5A NCH
MOSFETs 500V 16.5A NCH
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 322.44 грн |
| 10+ | 207.04 грн |
| 120+ | 140.65 грн |
| 510+ | 118.15 грн |
| 1020+ | 109.71 грн |
| 2520+ | 102.68 грн |
| FDA16N50-F109 |
|
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)