Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDA16N50LDTU
FDA16N50LDTU

FDA16N50LDTU ON Semiconductor

fda16n50ldtu-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+168.17 грн
500+161.11 грн
1000+151.70 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA16N50LDTU ON Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN (L-Forming), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDA16N50LDTU за ціною від 127.41 грн до 127.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDA16N50LDTU FDA16N50LDTU onsemi / Fairchild FDA16N50LDTU_D-2312177.pdf MOSFET 500V MOSFET UniFET N-channel
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50LDTU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN (L-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V
на замовлення 28520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+127.41 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50LDTU FDA16N50LDTU_D-2312177.pdf
FDA16N50LDTU
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V MOSFET UniFET N-channel
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA16N50LDTU FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN (L-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V
на замовлення 28520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+127.41 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.