Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDA18N50
FDA18N50

FDA18N50 Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003584110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 239W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
169+116.85 грн
Мінімальне замовлення: 169
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA18N50 Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 239W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDA18N50 за ціною від 159.86 грн до 243.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDA18N50 FDA18N50 Виробник : ON Semiconductor fda18n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+243.24 грн
10+ 204.51 грн
25+ 192.89 грн
100+ 159.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDA18N50 Виробник : FAIRCHILD ONSM-S-A0003584110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+ TO3P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDA18N50 Виробник : ON Semiconductor ONSM-S-A0003584110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 56250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDA18N50 FDA18N50
Код товару: 37766 		ONSM-S-A0003584110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDA18N50 FDA18N50 Виробник : ON Semiconductor fda18n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FDA18N50 FDA18N50 Виробник : onsemi / Fairchild FDA18N50_D-2312276.pdf MOSFET 500V N-CH MOSFET
товар відсутній
FDA18N50 FDA18N50 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11.4A; Idm: 76A; 239W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11.4A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 239W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній