FDA24N40F
Код товару: 117173
Виробник: Корпус: TO-3PN
Uds,V: 400 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2280/46
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується 16 шт:
16 шт - очікується
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDA24N40F за ціною від 121.59 грн до 289.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDA24N40F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDA24N40F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDA24N40F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDA24N40F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDA24N40F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V |
на замовлення 3195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDA24N40F | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 400V N-Channel |
на замовлення 8580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDA24N40F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA24N40F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.15 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDA24N40F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDA24N40F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDA24N40F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 235W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDA24N40F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 235W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |