Інші пропозиції FDA24N50
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDA24N50 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FDA24N50 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FDA24N50 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs UniFET 500V |
товару немає в наявності |
|
 |
FDA24N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 270W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |