
FDA24N50F ON Semiconductor
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA24N50F ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDA24N50F за ціною від 143.85 грн до 384.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDA24N50F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDA24N50F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDA24N50F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDA24N50F | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDA24N50F | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 270W Case: TO3PN On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 96A |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDA24N50F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDA24N50F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDA24N50F | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 270W Case: TO3PN On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 96A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDA24N50F | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDA24N50F Код товару: 162370
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|