на замовлення 3240 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.55 грн |
| 10+ | 268.98 грн |
| 25+ | 187.77 грн |
| 100+ | 165.37 грн |
| 250+ | 160.1 грн |
| 450+ | 146.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA24N50F onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDA24N50F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
FDA24N50F Код товару: 162370 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
FDA24N50F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|
 |
FDA24N50F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|
 |
FDA24N50F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 270W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
FDA24N50F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
FDA24N50F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 270W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |