Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDA28N50
FDA28N50

FDA28N50

FDA28N50-D.pdf
Код товару: 85154
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDA28N50 за ціною від 152.86 грн до 494.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDA28N50 FDA28N50 onsemi FDA28N50-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.08 грн
30+228.13 грн
60+207.45 грн
120+178.35 грн
510+152.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 ON Semiconductor fda28n50d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+494.75 грн
120+419.32 грн
270+378.27 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 onsemi FDA28N50-D.pdf MOSFETs UniFET 500V
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI ONSM-S-A0003584216-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.155 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50-D.pdf
FDA28N50
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+417.08 грн
30+228.13 грн
60+207.45 грн
120+178.35 грн
510+152.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 fda28n50d.pdf
FDA28N50
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+494.75 грн
120+419.32 грн
270+378.27 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50-D.pdf
FDA28N50
Виробник: onsemi
MOSFETs UniFET 500V
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 ONSM-S-A0003584216-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDA28N50
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.155 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.