Продукція > ONSEMI > FDA28N50
FDA28N50

FDA28N50 ONSEMI

fda28n50-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+366.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA28N50 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.155 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDA28N50 за ціною від 159.67 грн до 496.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDA28N50 FDA28N50 Виробник : onsemi fda28n50-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.69 грн
30+217.39 грн
120+180.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 Виробник : onsemi fda28n50-d.pdf MOSFETs UniFET 500V
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.69 грн
10+315.92 грн
120+202.20 грн
510+179.89 грн
1020+159.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584216-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.155 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+496.20 грн
10+271.69 грн
100+233.46 грн
500+206.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50
Код товару: 85154
Додати до обраних Обраний товар
fda28n50-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 Виробник : ON Semiconductor fda28n50d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.