FDA28N50F ON Semiconductor
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 242.77 грн |
| 10+ | 208.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA28N50F ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5387 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDA28N50F за ціною від 224.8 грн до 330.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDA28N50F | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDA28N50F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5387 pF @ 25 V |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FDA28N50F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA28N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.14 ohm, TO-3PN Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 28 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
FDA28N50F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FDA28N50F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FDA28N50F | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 500V 28A N-Channel |
товар відсутній |