FDA28N50F ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 316.81 грн |
| 10+ | 272.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA28N50F ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5387 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDA28N50F за ціною від 272.40 грн до 316.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDA28N50F | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FDA28N50F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA28N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.14 ohm, TO-3PNDrain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 28 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDA28N50F |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 316.81 грн |
| 52+ | 272.40 грн |
| FDA28N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA28N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.14 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDA28N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.14 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



