Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDA59N25
FDA59N25

FDA59N25 ON Semiconductor

fda59n25-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+129.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA59N25 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 392W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDA59N25 за ціною від 112.78 грн до 325.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDA59N25 FDA59N25 Виробник : ON Semiconductor fda59n25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 Виробник : onsemi fda59n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 392W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.17 грн
30+145.92 грн
120+131.82 грн
510+112.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 Виробник : ON Semiconductor fda59n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+297.61 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 Виробник : ONSEMI fda59n25-d.pdf Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 392W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+319.13 грн
10+278.50 грн
100+174.38 грн
500+145.42 грн
1000+121.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 Виробник : onsemi / Fairchild fda59n25-d.pdf MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 18850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.74 грн
10+288.98 грн
30+143.37 грн
120+134.32 грн
510+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25
Код товару: 133470
Додати до обраних Обраний товар

fda59n25-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 Виробник : ON Semiconductor fda59n25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 Виробник : ONSEMI fda59n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 392W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 Виробник : ONSEMI fda59n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 392W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.