Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDA59N25

FDA59N25

fda59n25-d.pdf
Код товару: 133470
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDA59N25 за ціною від 110.33 грн до 352.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDA59N25 FDA59N25 onsemi fda59n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 392W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.94 грн
30+164.76 грн
120+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 ONSEMI fda59n25-d.pdf Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 392W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.83 грн
10+187.37 грн
100+172.71 грн
500+135.41 грн
1000+110.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 onsemi fda59n25-d.pdf MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 14550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.27 грн
10+185.50 грн
120+132.67 грн
1020+124.99 грн
2520+119.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 ON Semiconductor fda59n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.96 грн
10+175.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 ON Semiconductor fda59n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 FDA59N25 ON Semiconductor fda59n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 fda59n25-d.pdf
FDA59N25
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 392W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+307.94 грн
30+164.76 грн
120+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 fda59n25-d.pdf
FDA59N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 392W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+312.83 грн
10+187.37 грн
100+172.71 грн
500+135.41 грн
1000+110.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 fda59n25-d.pdf
FDA59N25
Виробник: onsemi
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 14550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+337.27 грн
10+185.50 грн
120+132.67 грн
1020+124.99 грн
2520+119.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 fda59n25-d.pdf
FDA59N25
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+352.96 грн
10+175.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 fda59n25-d.pdf
FDA59N25
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N25 fda59n25-d.pdf
FDA59N25
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.