
FDA69N25 ON Semiconductor
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 170.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA69N25 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.034 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDA69N25 за ціною від 144.80 грн до 404.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 44.2A Pulsed drain current: 276A Power dissipation: 480W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 34.5A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 44.2A Pulsed drain current: 276A Power dissipation: 480W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDA69N25 Код товару: 175386
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |