FDA69N25 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 34.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 317.15 грн |
| 30+ | 241.94 грн |
| 120+ | 207.38 грн |
| 510+ | 173 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA69N25 onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 34.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDA69N25 за ціною від 158.12 грн до 344.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDA69N25 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 250V N-Channel MOSFET |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDA69N25 Код товару: 175386 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDA69N25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDA69N25 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 44.2A Pulsed drain current: 276A Power dissipation: 480W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDA69N25 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 44.2A Pulsed drain current: 276A Power dissipation: 480W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |