FDA8440

FDA8440 onsemi


FAIRS46987-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
на замовлення 2091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+285.02 грн
Мінімальне замовлення: 70
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA8440 onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDA8440

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDA8440 FDA8440 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDA8440-1122475.pdf MOSFET 40V 100A 2.1mOhm N-Chan Power Trench
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDA8440 FDA8440 Виробник : ON Semiconductor 4264803635464620fda8440-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FDA8440 FDA8440 Виробник : onsemi FAIRS46987-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V
товар відсутній