Продукція > ONSEMI > FDB0165N807L
FDB0165N807L

FDB0165N807L onsemi

fdb0165n807l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+318.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB0165N807L onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDB0165N807L за ціною від 302.37 грн до 647.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB0165N807L FDB0165N807L Виробник : onsemi fdb0165n807l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+614.47 грн
10+449.98 грн
100+359.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0165N807L FDB0165N807L Виробник : onsemi / Fairchild fdb0165n807l-d.pdf MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.31 грн
10+505.55 грн
25+396.31 грн
100+350.81 грн
250+329.53 грн
500+314.11 грн
800+302.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0165N807L FDB0165N807L Виробник : ON Semiconductor 3348882011302213fdb0165n807l.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 310A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0165N807L Виробник : ONSEMI fdb0165n807l-d.pdf FDB0165N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.