Продукція > ONSEMI > FDB016N04AL7
FDB016N04AL7

FDB016N04AL7 onsemi

fdb016n04al7-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+164.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB016N04AL7 onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 283W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB016N04AL7 за ціною від 178.03 грн до 357.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB016N04AL7 FDB016N04AL7 Виробник : onsemi fdb016n04al7-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+271.58 грн
10+ 220.04 грн
100+ 178.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB016N04AL7 FDB016N04AL7 Виробник : onsemi / Fairchild FDB016N04AL7_D-1806698.pdf MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 769 шт:
термін постачання 241-250 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+357.39 грн
100+ 317.05 грн
500+ 242.4 грн
FDB016N04AL7 Виробник : ON Semiconductor fdb016n04al7-d.pdf
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB016N04AL7 FDB016N04AL7 Виробник : ON Semiconductor fdb016n04al7jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній