Продукція > ONSEMI > FDB0170N607L
FDB0170N607L

FDB0170N607L onsemi

fdb0170n607l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V
на замовлення 55200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+172.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB0170N607L onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDB0170N607L за ціною від 148.92 грн до 380.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB0170N607L FDB0170N607L Виробник : onsemi / Fairchild FDB0170N607L-D.pdf MOSFETs 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 9767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.51 грн
10+266.98 грн
100+166.48 грн
500+157.32 грн
800+148.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607L FDB0170N607L Виробник : onsemi fdb0170n607l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V
на замовлення 55821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.00 грн
10+243.98 грн
100+174.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607L FDB0170N607L Виробник : ON Semiconductor 3675941180620349fdb0170n607l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607L Виробник : ONSEMI fdb0170n607l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1620A; 250W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1620A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.