FDB0190N807L ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 354.69 грн |
| 4+ | 283.76 грн |
| 5+ | 282.98 грн |
| 9+ | 268.04 грн |
| 10+ | 263.33 грн |
| 25+ | 260.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB0190N807L ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDB0190N807L за ціною від 179.60 грн до 425.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB0190N807L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC |
на замовлення 6067 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB0190N807L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB0190N807L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6 Mounting: SMD Gate charge: 249nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.44kA Case: D2PAK-6 Drain-source voltage: 80V Drain current: 190A On-state resistance: 4.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB0190N807L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDB0190N807L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |