Продукція > ONSEMI > FDB0190N807L
FDB0190N807L

FDB0190N807L onsemi

fdb0190n807l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+190.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB0190N807L onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDB0190N807L за ціною від 167.75 грн до 502.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDB0190N807L FDB0190N807L onsemi / Fairchild FDB0190N807L-D.PDF MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.60 грн
10+222.90 грн
100+181.84 грн
500+178.32 грн
800+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+355.41 грн
5+292.70 грн
10+279.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L FDB0190N807L onsemi fdb0190n807l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.34 грн
10+324.90 грн
100+236.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L FDB0190N807L onsemi fdb0190n807l-d.pdf MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.42 грн
10+336.38 грн
100+217.79 грн
500+193.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L FDB0190N807L-D.PDF
FDB0190N807L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+265.60 грн
10+222.90 грн
100+181.84 грн
500+178.32 грн
800+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
FDB0190N807L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+355.41 грн
5+292.70 грн
10+279.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
FDB0190N807L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+500.34 грн
10+324.90 грн
100+236.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
FDB0190N807L
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+502.42 грн
10+336.38 грн
100+217.79 грн
500+193.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.