FDB0190N807L onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 198.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB0190N807L onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDB0190N807L за ціною від 175.17 грн до 561.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDB0190N807L | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC |
на замовлення 5820 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDB0190N807L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK-6 On-state resistance: 4.3mΩ Pulsed drain current: 1.44kA Power dissipation: 250W Gate charge: 249nC Polarisation: unipolar Drain current: 190A Kind of channel: enhancement |
на замовлення 778 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB0190N807L | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDB0190N807L | onsemi |
MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC |
на замовлення 4567 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDB0190N807L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDB0190N807L |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 277.35 грн |
| 10+ | 232.76 грн |
| 100+ | 189.89 грн |
| 500+ | 186.21 грн |
| 800+ | 175.17 грн |
| FDB0190N807L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-6
On-state resistance: 4.3mΩ
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Gate charge: 249nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 190A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-6
On-state resistance: 4.3mΩ
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Gate charge: 249nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 190A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 429.33 грн |
| 5+ | 333.05 грн |
| 10+ | 295.68 грн |
| 100+ | 272.42 грн |
| FDB0190N807L |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 516.21 грн |
| 10+ | 335.93 грн |
| 50+ | 266.81 грн |
| 100+ | 229.54 грн |
| FDB0190N807L |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 561.57 грн |
| 10+ | 297.93 грн |
| 100+ | 237.73 грн |
| 500+ | 214.91 грн |
| FDB0190N807L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 347.08 грн |
| 10+ | 319.36 грн |
| 25+ | 319.26 грн |
| 100+ | 267.24 грн |
| 250+ | 243.22 грн |
| 500+ | 225.21 грн |



