FDB024N04AL7 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB024N04AL7 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB024N04AL7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
FDB024N04AL7 | onsemi / Fairchild |
MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDB024N04AL7 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET
MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



