Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB024N06
FDB024N06

FDB024N06 ON Semiconductor

fdb024n06-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+201.32 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB024N06 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB024N06 за ціною від 180.26 грн до 417.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : ON Semiconductor fdb024n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+362.32 грн
10+280.14 грн
25+277.35 грн
50+180.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : onsemi / Fairchild FDB024N06_D-2312021.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.99 грн
10+318.95 грн
25+254.55 грн
100+213.35 грн
500+209.67 грн
800+189.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : ON Semiconductor fdb024n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 Виробник : ON Semiconductor fdb024n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : ONSEMI fdb024n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 226nC
Pulsed drain current: 1060A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : onsemi fdb024n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : onsemi fdb024n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : ONSEMI fdb024n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 226nC
Pulsed drain current: 1060A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.