FDB024N06 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 343.61 грн |
| 10+ | 277.89 грн |
| 100+ | 224.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB024N06 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB024N06 за ціною від 155.45 грн до 395.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB024N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDB024N06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDB024N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDB024N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDB024N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDB024N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1060A Power dissipation: 395W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 226nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDB024N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDB024N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1060A Power dissipation: 395W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 226nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |