Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB024N06
FDB024N06

FDB024N06 ON Semiconductor

fdb024n06-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+205.68 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB024N06 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB024N06 за ціною від 195.39 грн до 431.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : ON Semiconductor fdb024n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+427.12 грн
10+330.25 грн
25+326.95 грн
50+212.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : onsemi / Fairchild FDB024N06_D-2312021.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.96 грн
10+329.62 грн
25+263.06 грн
100+220.48 грн
500+216.68 грн
800+195.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : ON Semiconductor fdb024n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 Виробник : ON Semiconductor fdb024n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : onsemi fdb024n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 Виробник : onsemi fdb024n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.