Продукція > ONSEMI > FDB024N08BL7

FDB024N08BL7 onsemi


FDB024N08BL7-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+145.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB024N08BL7 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 246W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDB024N08BL7 за ціною від 188.17 грн до 408.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7 ON Semiconductor fdb024n08bl7-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7 ON Semiconductor fdb024n08bl7-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+206.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7 ON Semiconductor fdb024n08bl7-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+252.23 грн
500+239.26 грн
1000+225.12 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7 ON Semiconductor fdb024n08bl7-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+252.23 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7 ON Semiconductor fdb024n08bl7-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+252.23 грн
500+239.26 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7 onsemi FDB024N08BL7-D.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.38 грн
10+262.22 грн
100+188.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7 onsemi FDB024N08BL7-D.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 fdb024n08bl7-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+205.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 fdb024n08bl7-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+206.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 fdb024n08bl7-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+252.23 грн
500+239.26 грн
1000+225.12 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 fdb024n08bl7-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+252.23 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 fdb024n08bl7-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+252.23 грн
500+239.26 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+408.38 грн
10+262.22 грн
100+188.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7-D.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.