Продукція > ONSEMI > FDB024N08BL7
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7 onsemi

fdb024n08bl7-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+146.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB024N08BL7 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 246W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDB024N08BL7 за ціною від 148.39 грн до 388.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7 Виробник : onsemi fdb024n08bl7-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.57 грн
10+246.54 грн
100+172.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7 Виробник : onsemi / Fairchild FDB024N08BL7-D.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.98 грн
10+260.42 грн
100+155.42 грн
800+148.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 FDB024N08BL7 Виробник : onsemi FDB024N08BL7-D.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.90 грн
10+260.42 грн
100+161.75 грн
800+148.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.