FDB0250N807L onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 431.27 грн |
| 10+ | 279.14 грн |
| 100+ | 202.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB0250N807L onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V.
Інші пропозиції FDB0250N807L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB0250N807L | ON Semiconductor |
|
на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDB0250N807L |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)