Продукція > ONSEMI > FDB0260N1007L

FDB0260N1007L ONSEMI

Name: FDB0260N1007L
Brand: ONSEMI
SKU: 32084231-6
Price: 5830.10 UAH
Availability: InStock

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	583.01 грн
50+	496.31 грн
100+	415.85 грн
250+	407.39 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDB0260N1007L ONSEMI

Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDB0260N1007L за ціною від 349.59 грн до 838.74 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDB0260N1007L

onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	773.90 грн
10+	514.87 грн
100+	400.94 грн

В кошику од. на суму грн.

FDB0260N1007L

onsemi

MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	811.61 грн
10+	552.79 грн
100+	374.26 грн
500+	361.58 грн
800+	349.59 грн

В кошику од. на суму грн.

FDB0260N1007L

ONSEMI

Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	838.74 грн
5+	711.29 грн
10+	583.01 грн
50+	496.31 грн
100+	415.85 грн
250+	407.39 грн

В кошику од. на суму грн.

FDB0260N1007L

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	773.90 грн
10+	514.87 грн
100+	400.94 грн

В кошику од. на суму грн.

FDB0260N1007L

Виробник: onsemi
MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	811.61 грн
10+	552.79 грн
100+	374.26 грн
500+	361.58 грн
800+	349.59 грн

В кошику од. на суму грн.

FDB0260N1007L

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	838.74 грн
5+	711.29 грн
10+	583.01 грн
50+	496.31 грн
100+	415.85 грн
250+	407.39 грн

В кошику од. на суму грн.