FDB029N06

FDB029N06 onsemi


fdb029n06-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
на замовлення 16133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+272.67 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB029N06 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDB029N06 за ціною від 237.70 грн до 425.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB029N06 FDB029N06 Виробник : onsemi / Fairchild FDB029N06_D-2311984.pdf MOSFET NCH 60V 2.9Mohm
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.00 грн
10+389.81 грн
25+327.01 грн
100+293.96 грн
250+291.15 грн
500+270.75 грн
800+237.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.