Продукція > ONSEMI > FDB0300N1007L
FDB0300N1007L

FDB0300N1007L onsemi

fdb0300n1007l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.02 грн
10+248.31 грн
100+214.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB0300N1007L onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDB0300N1007L за ціною від 207.70 грн до 352.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB0300N1007L FDB0300N1007L Виробник : onsemi / Fairchild FDB0300N1007L_D-1806842.pdf MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.77 грн
10+267.55 грн
25+231.18 грн
100+207.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007L FDB0300N1007L Виробник : ON Semiconductor 3659271782816838fdb0300n1007l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007L Виробник : ONSEMI fdb0300n1007l-d.pdf FDB0300N1007L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007L FDB0300N1007L Виробник : onsemi fdb0300n1007l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.