на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.99 грн |
| 10+ | 274.54 грн |
| 25+ | 237.23 грн |
| 100+ | 213.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB0300N1007L onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDB0300N1007L за ціною від 308.38 грн до 474.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDB0300N1007L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FDB0300N1007L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FDB0300N1007L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
