Продукція > ONSEMI > FDB035AN06A0
FDB035AN06A0

FDB035AN06A0 onsemi

FDB035AN06A0-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+185.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB035AN06A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB035AN06A0 за ціною від 185.08 грн до 563.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI FDB035AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 310W
Gate charge: 124nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 7.1mΩ
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+355.67 грн
10+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 onsemi / Fairchild FDB035AN06A0-D.PDF MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 919 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+402.89 грн
10+309.75 грн
100+206.15 грн
500+202.38 грн
800+185.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 onsemi FDB035AN06A0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.56 грн
10+319.86 грн
50+253.35 грн
100+217.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ON Semiconductor fdb035an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.96 грн
10+484.15 грн
25+479.36 грн
100+376.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ON Semiconductor fdb035an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+545.96 грн
31+479.36 грн
100+376.93 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 onsemi FDB035AN06A0-D.PDF MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 46 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+563.52 грн
10+371.18 грн
100+259.56 грн
500+230.22 грн
800+204.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0.pdf
FDB035AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 310W
Gate charge: 124nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 7.1mΩ
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+355.67 грн
10+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0-D.PDF
FDB035AN06A0
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 919 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+402.89 грн
10+309.75 грн
100+206.15 грн
500+202.38 грн
800+185.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0-D.PDF
FDB035AN06A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+493.56 грн
10+319.86 грн
50+253.35 грн
100+217.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 fdb035an06a0-d.pdf
FDB035AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+545.96 грн
10+484.15 грн
25+479.36 грн
100+376.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 fdb035an06a0-d.pdf
FDB035AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+545.96 грн
31+479.36 грн
100+376.93 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0-D.PDF
FDB035AN06A0
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 46 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+563.52 грн
10+371.18 грн
100+259.56 грн
500+230.22 грн
800+204.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.