FDB035AN06A0 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 172.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB035AN06A0 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB035AN06A0 за ціною від 171.52 грн до 515.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB035AN06A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 124nC On-state resistance: 7.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: D2PAK |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB035AN06A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel PowerTrench |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB035AN06A0 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel PowerTrench |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB035AN06A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V |
на замовлення 6090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB035AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB035AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB035AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |