Продукція > ONSEMI > FDB035AN06A0
FDB035AN06A0

FDB035AN06A0 onsemi

fdb035an06a0-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+170.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB035AN06A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB035AN06A0 за ціною від 169.45 грн до 473.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI FDB035AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+347.34 грн
10+270.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 onsemi / Fairchild FDB035AN06A0-D.PDF MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.86 грн
10+283.58 грн
100+188.73 грн
500+185.29 грн
800+169.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 onsemi fdb035an06a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 6090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.20 грн
10+295.80 грн
100+214.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 onsemi fdb035an06a0-d.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.33 грн
10+313.68 грн
100+197.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0.pdf
FDB035AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+347.34 грн
10+270.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0-D.PDF
FDB035AN06A0
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+368.86 грн
10+283.58 грн
100+188.73 грн
500+185.29 грн
800+169.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 fdb035an06a0-d.pdf
FDB035AN06A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 6090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+457.20 грн
10+295.80 грн
100+214.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 fdb035an06a0-d.pdf
FDB035AN06A0
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+473.33 грн
10+313.68 грн
100+197.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.