Продукція > ONSEMI > FDB035AN06A0
FDB035AN06A0

FDB035AN06A0 onsemi

fdb035an06a0-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 13123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+172.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB035AN06A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB035AN06A0 за ціною від 172.69 грн до 518.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDB035AN06A0-D.PDF MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.92 грн
10+289.01 грн
100+192.35 грн
500+188.84 грн
800+172.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : onsemi fdb035an06a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 13340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.57 грн
10+280.32 грн
100+203.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb035an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+484.36 грн
31+425.28 грн
100+334.40 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb035an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+518.96 грн
10+460.20 грн
25+455.65 грн
100+358.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb035an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.