Продукція > ONSEMI > FDB035AN06A0
FDB035AN06A0

FDB035AN06A0 onsemi

fdb035an06a0-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+183.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB035AN06A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB035AN06A0 за ціною від 189.41 грн до 488.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+347.07 грн
4+281.40 грн
9+266.47 грн
10+255.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : onsemi / Fairchild fdb035an06a0-d.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.08 грн
10+302.86 грн
100+202.99 грн
500+189.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : onsemi fdb035an06a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.37 грн
10+279.13 грн
100+215.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.48 грн
4+350.67 грн
9+319.76 грн
10+306.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb035an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+455.87 грн
31+400.26 грн
100+314.73 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb035an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+488.43 грн
10+433.13 грн
25+428.85 грн
100+337.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : ON Semiconductor 619415283392728fdb035an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb035an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.