Продукція > ONSEMI > FDB035N10A
FDB035N10A

FDB035N10A onsemi

fdb035n10a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+217.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB035N10A onsemi

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDB035N10A за ціною від 224.29 грн до 559.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor 4268277676251135fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+250.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ONSEMI 2729331.pdf Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+368.01 грн
50+333.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : onsemi fdb035n10a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.39 грн
10+326.36 грн
100+255.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+509.50 грн
10+348.18 грн
25+287.15 грн
100+256.41 грн
250+224.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ONSEMI 2729331.pdf Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+536.79 грн
5+452.81 грн
10+368.01 грн
50+333.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+548.70 грн
33+374.97 грн
40+309.24 грн
100+276.13 грн
250+241.55 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : onsemi / Fairchild fdb035n10a-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 28609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.12 грн
10+377.27 грн
25+319.25 грн
100+248.80 грн
800+225.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ONSEMI fdb035n10a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ONSEMI fdb035n10a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.