Продукція > ONSEMI > FDB035N10A
FDB035N10A

FDB035N10A onsemi

FDB035N10A-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+147.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB035N10A onsemi

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 333W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції FDB035N10A за ціною від 178.66 грн до 412.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB035N10A FDB035N10A ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+196.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+196.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+244.61 грн
500+231.67 грн
1000+218.74 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.39 грн
55+257.89 грн
250+241.29 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.01 грн
10+237.65 грн
25+235.20 грн
100+205.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.01 грн
60+235.20 грн
100+205.12 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A onsemi FDB035N10A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.20 грн
10+265.05 грн
50+208.55 грн
100+178.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A onsemi FDB035N10A-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A ONSEMI 2729331.pdf Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A ONSEMI 2729331.pdf Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A fdb035n10a-d.pdf
FDB035N10A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+196.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A fdb035n10a-d.pdf
FDB035N10A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+196.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A fdb035n10a-d.pdf
FDB035N10A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+244.61 грн
500+231.67 грн
1000+218.74 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A fdb035n10a-d.pdf
FDB035N10A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+273.39 грн
55+257.89 грн
250+241.29 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A fdb035n10a-d.pdf
FDB035N10A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+278.01 грн
10+237.65 грн
25+235.20 грн
100+205.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A fdb035n10a-d.pdf
FDB035N10A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+278.01 грн
60+235.20 грн
100+205.12 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A-D.PDF
FDB035N10A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+412.20 грн
10+265.05 грн
50+208.55 грн
100+178.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A-D.PDF
FDB035N10A
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A 2729331.pdf
FDB035N10A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A 2729331.pdf
FDB035N10A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.