Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB035N10A

FDB035N10A ON Semiconductor

Name: FDB035N10A
Brand: ON Semiconductor
SKU: 33325095-5
Price: 139192.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	173.99 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDB035N10A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDB035N10A за ціною від 150.61 грн до 456.34 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDB035N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	186.13 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	243.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	246.83 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	264.47 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
36+	354.02 грн
50+	312.56 грн
100+	305.93 грн
200+	273.42 грн
500+	251.86 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	383.78 грн
10+	245.76 грн
100+	175.73 грн

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
32+	397.63 грн
39+	321.43 грн
100+	288.21 грн
250+	246.80 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 24125 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	412.10 грн
10+	270.51 грн
100+	168.46 грн
800+	150.61 грн

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	426.03 грн
10+	345.28 грн
25+	344.39 грн
100+	308.80 грн
250+	264.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : ONSEMI

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	456.34 грн
10+	312.65 грн
100+	243.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : ON Semiconductor

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDB035N10A

Виробник : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.