Продукція > ONSEMI > FDB035N10A
FDB035N10A

FDB035N10A onsemi

fdb035n10a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+143.92 грн
1600+137.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB035N10A onsemi

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDB035N10A за ціною від 153.46 грн до 452.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+180.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+190.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+209.08 грн
500+197.46 грн
1000+186.90 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ONSEMI 2729331.pdf Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+243.13 грн
500+221.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+245.48 грн
300+242.50 грн
800+192.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+251.74 грн
59+215.16 грн
60+214.32 грн
100+172.61 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor 4268277676251135fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+269.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+269.72 грн
10+230.53 грн
25+229.62 грн
100+184.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+270.40 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : onsemi fdb035n10a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.48 грн
10+244.72 грн
100+174.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : onsemi fdb035n10a-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.90 грн
10+275.63 грн
100+171.65 грн
500+153.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ONSEMI 2729331.pdf Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+452.55 грн
10+310.57 грн
100+243.13 грн
500+221.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ON Semiconductor fdb035n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A Виробник : ONSEMI fdb035n10a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 116nC
Pulsed drain current: 856A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.