
FDB045AN08A0-F085 ON Semiconductor
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
137+ | 222.13 грн |
500+ | 213.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB045AN08A0-F085 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDB045AN08A0-F085 за ціною від 213.00 грн до 222.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDB045AN08A0-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FDB045AN08A0-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FDB045AN08A0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
![]() |
FDB045AN08A0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
![]() |
FDB045AN08A0-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
FDB045AN08A0-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
FDB045AN08A0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FDB045AN08A0-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FDB045AN08A0-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FDB045AN08A0-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |