FDB047N10

FDB047N10 onsemi


FDB047N10-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+132.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB047N10 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB047N10 за ціною від 126.20 грн до 317.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+144.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+145.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+149.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+156.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+157.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : onsemi FDB047N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.11 грн
10+189.21 грн
100+156.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : onsemi / Fairchild FDB047N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 8464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.14 грн
10+201.71 грн
25+163.66 грн
100+154.85 грн
800+130.64 грн
2400+129.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.84 грн
10+246.61 грн
25+241.19 грн
100+188.47 грн
250+168.93 грн
500+126.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+317.52 грн
46+265.58 грн
47+259.74 грн
100+202.97 грн
250+181.92 грн
500+135.90 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 Виробник : FSC FDB047N10-D.pdf TO263 10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 Виробник : ONSEMI FDB047N10-D.pdf FDB047N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.