Продукція > ONSEMI > FDB047N10
FDB047N10

FDB047N10 onsemi

FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+142.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB047N10 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB047N10 за ціною від 126.50 грн до 374.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+145.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+146.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+150.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+156.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+157.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+295.55 грн
10+247.21 грн
25+241.77 грн
100+188.93 грн
250+169.34 грн
500+126.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+318.28 грн
46+266.23 грн
47+260.37 грн
100+203.46 грн
250+182.36 грн
500+136.23 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.03 грн
10+236.89 грн
25+205.26 грн
100+153.76 грн
800+134.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : onsemi FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.83 грн
10+239.79 грн
100+170.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 Виробник : FSC FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO263 10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 Виробник : ONSEMI FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB047N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.