Продукція > ONSEMI > FDB047N10
FDB047N10

FDB047N10 onsemi

FDB047N10-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+130.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB047N10 onsemi

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 120, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції FDB047N10 за ціною від 153.99 грн до 424.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB047N10 FDB047N10 ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.43 грн
100+213.62 грн
250+204.77 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 onsemi FDB047N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.44 грн
10+186.39 грн
100+153.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+424.54 грн
100+403.37 грн
500+382.20 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 onsemi FDB047N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FSC FDB047N10-D.pdf TO263 10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 fdb047n10-d.pdf
FDB047N10
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+232.43 грн
100+213.62 грн
250+204.77 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10-D.pdf
FDB047N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.44 грн
10+186.39 грн
100+153.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 fdb047n10-d.pdf
FDB047N10
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+424.54 грн
100+403.37 грн
500+382.20 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10-D.pdf
FDB047N10
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10-D.pdf
Виробник: FSC
TO263 10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.