FDB047N10 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 130.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB047N10 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDB047N10 за ціною від 139.78 грн до 419.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB047N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDB047N10 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDB047N10 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 4027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDB047N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FDB047N10 | Виробник : FSC |
TO263 10+ |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| FDB047N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.21µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |