Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDB050AN06A0
FDB050AN06A0

FDB050AN06A0 onsemi / Fairchild

FDP050AN06A0-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.58 грн
10+162.14 грн
100+98.02 грн
500+90.48 грн
800+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB050AN06A0 onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 245W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm.

Інші пропозиції FDB050AN06A0 за ціною від 85.20 грн до 286.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB050AN06A0 FDB050AN06A0 onsemi FDP050AN06A0-D.PDF MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+286.76 грн
10+183.82 грн
100+116.87 грн
500+98.02 грн
800+90.48 грн
2400+85.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0 FDB050AN06A0 ONSEMI FDP050AN06A0-D.PDF Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0 FDB050AN06A0 ONSEMI FDP050AN06A0-D.PDF Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0 ON Semiconductor FDP050AN06A0-D.PDF Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.42 грн
10+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0 FDP050AN06A0-D.PDF
FDB050AN06A0
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.76 грн
10+183.82 грн
100+116.87 грн
500+98.02 грн
800+90.48 грн
2400+85.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0 FDP050AN06A0-D.PDF
FDB050AN06A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0 FDP050AN06A0-D.PDF
FDB050AN06A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0 FDP050AN06A0-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+218.42 грн
10+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.