Продукція > ONSEMI > FDB060AN08A0
FDB060AN08A0

FDB060AN08A0 onsemi

fdp060an08a0-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+126.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB060AN08A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDB060AN08A0 за ціною від 105.90 грн до 342.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 Виробник : onsemi / Fairchild fdp060an08a0-d.pdf MOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.20 грн
10+151.43 грн
100+115.66 грн
500+105.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 Виробник : onsemi fdp060an08a0-d.pdf MOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.62 грн
10+213.93 грн
100+133.77 грн
500+117.75 грн
800+105.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 Виробник : onsemi fdp060an08a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.53 грн
10+218.51 грн
100+155.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0 Виробник : fairchild fdp060an08a0-d.pdf 07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.