Продукція > ONSEMI > FDB0630N1507L
FDB0630N1507L

FDB0630N1507L onsemi

fdb0630n1507l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.79 грн
10+372.33 грн
100+273.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB0630N1507L onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDB0630N1507L за ціною від 230.69 грн до 587.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB0630N1507L FDB0630N1507L Виробник : onsemi fdb0630n1507l-d.pdf MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+587.44 грн
10+393.97 грн
100+243.82 грн
500+230.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507L Виробник : ONN fdb0630n1507l-d.pdf
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507L FDB0630N1507L Виробник : onsemi fdb0630n1507l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507L Виробник : ONSEMI fdb0630n1507l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; Idm: 720A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 97nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 720A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.