FDB070AN06A0 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 120.51 грн |
| 1600+ | 114.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB070AN06A0 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB070AN06A0 за ціною від 107.91 грн до 330.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB070AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDB070AN06A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel PT 6V 8A 7mOhm |
на замовлення 18851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDB070AN06A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
на замовлення 7886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDB070AN06A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC On-state resistance: 15mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 80A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 175W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FDB070AN06A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC On-state resistance: 15mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 80A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 175W |
товару немає в наявності |