Продукція > ONSEMI > FDB070AN06A0
FDB070AN06A0

FDB070AN06A0 onsemi


FDB070AN06A0-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+114.78 грн
1600+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB070AN06A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB070AN06A0 за ціною від 105.85 грн до 315.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDB070AN06A0-D.pdf MOSFETs N-Channel PT 6V 8A 7mOhm
на замовлення 18746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.20 грн
10+121.73 грн
800+105.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb070an06a0jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+128.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 Виробник : onsemi FDB070AN06A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.10 грн
10+199.68 грн
100+141.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.