FDB075N15A ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 215.76 грн |
| 250+ | 194.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB075N15A ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDB075N15A за ціною від 164.92 грн до 496.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDB075N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 13888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB075N15A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB075N15A | Виробник : onsemi |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FDB075N15A | Виробник : ONN |
|
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FDB075N15A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |

