Продукція > ONSEMI > FDB075N15A
FDB075N15A

FDB075N15A onsemi

fdp075n15a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+199.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB075N15A onsemi

Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDB075N15A за ціною від 186.68 грн до 497.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+212.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor 138700423155986fdb075n15a.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor 138700423155986fdb075n15a.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+215.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ONSEMI 2552621.pdf Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+234.83 грн
250+212.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+236.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+253.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+263.99 грн
500+250.26 грн
1000+236.53 грн
10000+213.83 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+291.20 грн
300+289.20 грн
800+268.34 грн
1600+257.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+342.22 грн
10+242.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : onsemi fdp075n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.46 грн
10+276.85 грн
100+215.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+396.55 грн
42+306.31 грн
100+245.33 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : onsemi / Fairchild FDP075N15A-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.05 грн
10+300.19 грн
100+203.29 грн
500+201.71 грн
800+188.26 грн
4800+186.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+424.83 грн
10+328.15 грн
100+262.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ONSEMI 2552621.pdf Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+497.80 грн
10+347.84 грн
50+300.81 грн
100+234.83 грн
250+212.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.