Продукція > ONSEMI > FDB075N15A
FDB075N15A

FDB075N15A onsemi

fdp075n15a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+195.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB075N15A onsemi

Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDB075N15A за ціною від 183.21 грн до 446.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+208.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor 138700423155986fdb075n15a.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor 138700423155986fdb075n15a.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+211.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+232.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ONSEMI 2552621.pdf Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+232.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+248.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+259.09 грн
500+245.61 грн
1000+232.14 грн
10000+209.86 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+285.79 грн
300+283.84 грн
800+263.36 грн
1600+253.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.87 грн
10+238.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : onsemi fdp075n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.14 грн
10+271.72 грн
100+211.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+389.19 грн
42+300.62 грн
100+240.77 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : onsemi / Fairchild FDP075N15A-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.29 грн
10+294.62 грн
100+199.52 грн
500+197.96 грн
800+184.77 грн
4800+183.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+416.94 грн
10+322.06 грн
100+257.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ONSEMI 2552621.pdf Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+446.76 грн
10+326.58 грн
50+289.13 грн
100+232.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A Виробник : ON Semiconductor fdp075n15ad.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.