Продукція > ONSEMI > FDB075N15A
FDB075N15A

FDB075N15A ONSEMI

2552621.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+270.73 грн
250+245.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB075N15A ONSEMI

Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDB075N15A за ціною від 162.92 грн до 542.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDB075N15A FDB075N15A onsemi / Fairchild FDP075N15A-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.85 грн
10+261.98 грн
100+177.42 грн
500+176.04 грн
800+164.30 грн
4800+162.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A onsemi fdp075n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.53 грн
10+302.89 грн
100+219.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A onsemi fdp075n15a-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.49 грн
10+321.53 грн
100+226.43 грн
500+200.89 грн
800+178.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDB075N15A ONSEMI 2552621.pdf Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.03 грн
10+360.82 грн
50+326.19 грн
100+270.73 грн
250+245.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A ONN fdp075n15a-d.pdf
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A FDP075N15A-D.PDF
FDB075N15A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+364.85 грн
10+261.98 грн
100+177.42 грн
500+176.04 грн
800+164.30 грн
4800+162.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A fdp075n15a-d.pdf
FDB075N15A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+467.53 грн
10+302.89 грн
100+219.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A fdp075n15a-d.pdf
FDB075N15A
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+490.49 грн
10+321.53 грн
100+226.43 грн
500+200.89 грн
800+178.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A 2552621.pdf
FDB075N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+542.03 грн
10+360.82 грн
50+326.19 грн
100+270.73 грн
250+245.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A fdp075n15a-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.