Продукція > ONSEMI > FDB082N15A
FDB082N15A

FDB082N15A onsemi

fdb082n15a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+243.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB082N15A onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB082N15A за ціною від 228.25 грн до 402.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : onsemi / Fairchild FDB082N15A_D-2311985.pdf MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.15 грн
10+362.07 грн
25+314.11 грн
100+287.69 грн
500+270.08 грн
800+229.71 грн
2400+228.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : onsemi fdb082n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.50 грн
10+321.93 грн
100+251.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A Виробник : ONSEMI fdb082n15a-d.pdf FDB082N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.