Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDB082N15A
FDB082N15A

FDB082N15A onsemi / Fairchild

fdb082n15a-d.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.16 грн
10+404.69 грн
100+275.54 грн
250+274.75 грн
500+270.03 грн
800+262.16 грн
2400+250.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB082N15A onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB082N15A за ціною від 272.26 грн до 547.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : onsemi fdb082n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.58 грн
10+357.63 грн
100+272.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : ON Semiconductor fdb082n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A FDB082N15A Виробник : onsemi fdb082n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.