Продукція > ONSEMI > FDB088N08
FDB088N08

FDB088N08 onsemi

fdb088n08-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.31 грн
10+162.59 грн
100+129.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB088N08 onsemi

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB088N08 за ціною від 82.73 грн до 268.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB088N08 FDB088N08 Виробник : onsemi / Fairchild FDB088N08_D-2311929.pdf MOSFETs NCH 75V 8.8Mohm
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.37 грн
10+179.42 грн
100+108.85 грн
800+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08 FDB088N08 Виробник : ON Semiconductor fdb088n08jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08 Виробник : ONSEMI fdb088n08-d.pdf FDB088N08 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08 FDB088N08 Виробник : onsemi fdb088n08-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.