Продукція > ONSEMI > FDB110N15A
FDB110N15A

FDB110N15A onsemi

ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+226.57 грн
1600+186.82 грн
2400+175.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB110N15A onsemi

Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 92A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDB110N15A за ціною від 245.45 грн до 375.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB110N15A FDB110N15A onsemi ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.06 грн
10+303.41 грн
100+245.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A FDB110N15A onsemi ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A FDB110N15A onsemi / Fairchild FDB110N15A-D.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A FDB110N15A ONSEMI ONSM-S-A0003584030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A FDB110N15A ONSEMI ONSM-S-A0003584030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDB110N15A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.06 грн
10+303.41 грн
100+245.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDB110N15A
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A FDB110N15A-D.pdf
FDB110N15A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A ONSM-S-A0003584030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDB110N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A ONSM-S-A0003584030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDB110N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.