FDB120N10 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.26 грн |
| 10+ | 166.12 грн |
| 100+ | 121.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB120N10 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB120N10 за ціною від 102.01 грн до 246.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB120N10 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench |
на замовлення 4047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDB120N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FDB120N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 52A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
FDB120N10 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FDB120N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 52A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® |
товару немає в наявності |