FDB120N10 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 210.00 грн |
| 10+ | 131.48 грн |
| 100+ | 91.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB120N10 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB120N10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDB120N10 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench |
на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDB120N10 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
MOSFETs 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


