FDB120N10

FDB120N10 onsemi / Fairchild


FDB120N10-D.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
на замовлення 4046 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.02 грн
10+164.77 грн
100+107.85 грн
500+94.47 грн
800+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB120N10 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB120N10 за ціною від 130.39 грн до 242.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB120N10 FDB120N10 Виробник : onsemi fdb120n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.71 грн
10+178.20 грн
100+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB120N10 FDB120N10 Виробник : ON Semiconductor fdb120n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB120N10 FDB120N10 Виробник : onsemi fdb120n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.