FDB12N50TM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 70.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB12N50TM onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 165W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB12N50TM за ціною від 68.03 грн до 228.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDB12N50TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB12N50TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 500V N-CH MOSFET |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB12N50TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDB12N50TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 165W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: DMOS; UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 46A Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A On-state resistance: 0.65Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FDB12N50TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 165W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: DMOS; UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 46A Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A On-state resistance: 0.65Ω |
товару немає в наявності |