Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > FDB15N50
FDB15N50

FDB15N50

fdb15n50-d.pdf
Код товару: 46102
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDB15N50 за ціною від 120.70 грн до 364.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : onsemi fdb15n50-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+120.70 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+222.16 грн
10+177.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : onsemi fdb15n50-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.57 грн
10+221.66 грн
100+157.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : onsemi fdb15n50-d.pdf MOSFETs 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.26 грн
10+237.78 грн
100+147.09 грн
500+121.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : ON Semiconductor fdb15n50jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : ON Semiconductor fdb15n50jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.