Продукція > ONSEMI > FDB15N50
FDB15N50

FDB15N50 onsemi

fdb15n50-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB15N50 onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB15N50 за ціною від 120.23 грн до 334.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : ON Semiconductor fdb15n50jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+147.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8940D3F3490469&compId=FDB15N50.pdf?ci_sign=a49bd96e5438f9c41de0d83370be6edddce8620a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.07 грн
6+176.43 грн
15+166.98 грн
100+160.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : onsemi / Fairchild FDB15N50-D.pdf MOSFETs 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr
на замовлення 11177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.11 грн
10+222.61 грн
100+145.18 грн
500+136.86 грн
800+120.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : onsemi fdb15n50-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+332.08 грн
10+205.26 грн
100+150.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8940D3F3490469&compId=FDB15N50.pdf?ci_sign=a49bd96e5438f9c41de0d83370be6edddce8620a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+334.88 грн
6+219.86 грн
15+200.38 грн
100+192.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50
Код товару: 46102
Додати до обраних Обраний товар

fdb15n50-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : ON Semiconductor fdb15n50jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 Виробник : ON Semiconductor fdb15n50jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.