
FDB16AN08A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 89.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB16AN08A0 onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB16AN08A0 за ціною від 83.67 грн до 251.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDB16AN08A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDB16AN08A0 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
FDB16AN08A0 | Виробник : fairchild |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDB16AN08A0 | Виробник : fairchild |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDB16AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
FDB16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FDB16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
FDB16AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |