Продукція > ONSEMI > FDB16AN08A0
FDB16AN08A0

FDB16AN08A0 onsemi

FDB16AN08A0-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+85.91 грн
1600+77.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB16AN08A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V.

Інші пропозиції FDB16AN08A0 за ціною від 73.85 грн до 270.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDB16AN08A0-D.pdf MOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.48 грн
10+166.66 грн
100+101.02 грн
800+80.82 грн
2400+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0 Виробник : onsemi FDB16AN08A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.23 грн
10+163.56 грн
100+114.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0 Виробник : onsemi FDB16AN08A0-D.pdf MOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.68 грн
10+174.67 грн
100+105.90 грн
500+86.39 грн
800+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 Виробник : fairchild FDB16AN08A0-D.pdf to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.