Продукція > ONSEMI > FDB16AN08A0
FDB16AN08A0

FDB16AN08A0 onsemi

FDB16AN08A0-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+91.56 грн
1600+82.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB16AN08A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB16AN08A0 за ціною від 89.83 грн до 298.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0 onsemi FDB16AN08A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.83 грн
10+173.57 грн
100+121.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0 onsemi FDB16AN08A0-D.pdf MOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 986 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+298.82 грн
10+149.41 грн
100+117.30 грн
500+95.03 грн
800+89.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 ONSEMI FAIRS45899-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0-D.pdf
FDB16AN08A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.83 грн
10+173.57 грн
100+121.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0-D.pdf
FDB16AN08A0
Виробник: onsemi
MOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 986 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+298.82 грн
10+149.41 грн
100+117.30 грн
500+95.03 грн
800+89.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 FAIRS45899-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.