Продукція > ONSEMI > FDB20N50F
FDB20N50F

FDB20N50F onsemi

fdb20n50f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+134.54 грн
1600+ 110.94 грн
2400+ 104.46 грн
5600+ 94.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB20N50F onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB20N50F за ціною від 102.83 грн до 238.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB20N50F FDB20N50F Виробник : ONSEMI 2729321.pdf Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 250
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+166.92 грн
500+ 132.16 грн
800+ 102.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDB20N50F FDB20N50F Виробник : onsemi fdb20n50f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 6234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.75 грн
10+ 180.18 грн
100+ 145.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB20N50F FDB20N50F Виробник : ONSEMI fdb20n50f-d.pdf Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+226.53 грн
10+ 193 грн
100+ 166.92 грн
500+ 132.16 грн
800+ 102.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDB20N50F FDB20N50F Виробник : onsemi / Fairchild FDB20N50F_D-2311989.pdf MOSFET N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500V,
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.69 грн
10+ 197.85 грн
100+ 138.83 грн
500+ 137.5 грн
800+ 109.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB20N50F FDB20N50F Виробник : ON Semiconductor 4267565819233369fdb20n50f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB20N50F Виробник : ONSEMI fdb20n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDB20N50F FDB20N50F Виробник : ON Semiconductor 4267565819233369fdb20n50f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB20N50F FDB20N50F Виробник : ON Semiconductor 4267565819233369fdb20n50f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB20N50F Виробник : ONSEMI fdb20n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній