FDB2710 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 415.36 грн |
| 10+ | 271.15 грн |
| 100+ | 197.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB2710 onsemi
Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0425 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDB2710 за ціною від 168.78 грн до 461.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB2710 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB2710 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0425 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDB2710 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 429.92 грн |
| 10+ | 283.87 грн |
| 25+ | 238.40 грн |
| 100+ | 177.92 грн |
| 250+ | 174.41 грн |
| 500+ | 173.00 грн |
| 800+ | 168.78 грн |
| FDB2710 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0425 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0425 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 461.92 грн |
| 10+ | 305.21 грн |
| 100+ | 223.17 грн |