Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > FDB33N25TM
FDB33N25TM

FDB33N25TM ON-Semiconductor

info-tfdb33n25tm.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB33N25TM ON-Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 235W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB33N25TM за ціною від 63.51 грн до 224.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB33N25TM FDB33N25TM onsemi FDB33N25-D.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.41 грн
1600+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM onsemi / Fairchild FDB33N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 14329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.33 грн
10+124.64 грн
100+80.08 грн
500+78.01 грн
800+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM onsemi FDB33N25-D.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 13937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
10+140.15 грн
100+97.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
FDB33N25TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+72.41 грн
1600+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
FDB33N25TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 14329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.33 грн
10+124.64 грн
100+80.08 грн
500+78.01 грн
800+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
FDB33N25TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 13937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.45 грн
10+140.15 грн
100+97.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.