Продукція > ONSEMI > FDB33N25TM
FDB33N25TM

FDB33N25TM onsemi

FDB33N25-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.59 грн
1600+62.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB33N25TM onsemi

Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDB33N25TM за ціною від 51.52 грн до 235.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor 3651793417523870fdb33n25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+89.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+96.89 грн
1600+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+97.73 грн
500+93.58 грн
1000+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDFEF6AA19E28&compId=FDB33N25.pdf?ci_sign=d65b6cd613543e4b3c73aaeff4e0162488d4ffa4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.74 грн
5+138.63 грн
10+96.88 грн
27+91.37 грн
100+87.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : onsemi FDB33N25-D.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 15813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.22 грн
10+129.88 грн
100+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : onsemi / Fairchild FDB33N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 11561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.72 грн
10+141.74 грн
100+83.93 грн
500+76.37 грн
800+69.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDFEF6AA19E28&compId=FDB33N25.pdf?ci_sign=d65b6cd613543e4b3c73aaeff4e0162488d4ffa4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.68 грн
5+172.75 грн
10+116.26 грн
27+109.64 грн
100+104.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+219.50 грн
83+146.09 грн
85+143.24 грн
144+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ONSEMI 2304001.pdf Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.09 грн
10+147.59 грн
100+102.64 грн
500+88.22 грн
1000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+235.18 грн
10+156.52 грн
25+153.47 грн
100+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM Виробник : ON-Semicoductor FDB33N25-D.PDF N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.