Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > FDB33N25TM
FDB33N25TM

FDB33N25TM ON-Semiconductor

info-tfdb33n25tm.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 20 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB33N25TM ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDB33N25TM за ціною від 67.00 грн до 252.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB33N25TM FDB33N25TM onsemi FDB33N25-D.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 6825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.59 грн
1600+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 235W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.41 грн
10+128.74 грн
25+107.29 грн
40+97.38 грн
100+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM onsemi / Fairchild FDB33N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 14329 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+178.32 грн
10+132.04 грн
100+84.83 грн
500+82.64 грн
800+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM onsemi FDB33N25-D.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 6876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.02 грн
10+148.18 грн
50+113.95 грн
100+96.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM onsemi FDB33N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 18705 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+252.55 грн
10+126.99 грн
100+94.34 грн
500+73.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM ONSEMI 2304001.pdf Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
FDB33N25TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 6825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+74.59 грн
1600+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM fdb33n25-d.pdf
FDB33N25TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM fdb33n25-d.pdf
FDB33N25TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM fdb33n25-d.pdf
FDB33N25TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+93.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM fdb33n25-d.pdf
FDB33N25TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+93.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM fdb33n25-d.pdf
FDB33N25TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25.pdf
FDB33N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 235W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+163.41 грн
10+128.74 грн
25+107.29 грн
40+97.38 грн
100+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
FDB33N25TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 14329 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.32 грн
10+132.04 грн
100+84.83 грн
500+82.64 грн
800+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
FDB33N25TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 6876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.02 грн
10+148.18 грн
50+113.95 грн
100+96.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
FDB33N25TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 18705 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.55 грн
10+126.99 грн
100+94.34 грн
500+73.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM 2304001.pdf
FDB33N25TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.