FDB33N25TM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 67.69 грн |
| 1600+ | 63.96 грн |
| 2400+ | 63.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB33N25TM onsemi
Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDB33N25TM за ціною від 55.45 грн до 228.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB33N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 31200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB33N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB33N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB33N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB33N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB33N25TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V |
на замовлення 4445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB33N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB33N25TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB33N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB33N25TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET |
на замовлення 15789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB33N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| FDB33N25TM | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| FDB33N25TM | Виробник : ONSEMI |
FDB33N25TM SMD N channel transistors |
на замовлення 774 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|