Продукція > ONSEMI > FDB33N25TM
FDB33N25TM

FDB33N25TM onsemi

ONSM-S-A0003584126-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.38 грн
1600+66.50 грн
2400+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB33N25TM onsemi

Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDB33N25TM за ціною від 55.59 грн до 226.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor 3651793417523870fdb33n25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+75.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+84.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+97.60 грн
1600+97.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+98.45 грн
500+94.26 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ONSEMI FDB33N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 235W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.87 грн
5+108.82 грн
10+95.79 грн
27+90.43 грн
100+89.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ONSEMI FDB33N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 235W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.44 грн
5+135.61 грн
10+114.95 грн
27+108.51 грн
100+107.59 грн
800+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+205.31 грн
10+136.64 грн
25+133.98 грн
100+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584126-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 5290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.30 грн
10+134.80 грн
100+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ONSEMI 2304001.pdf Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+217.05 грн
10+143.60 грн
100+99.86 грн
500+85.83 грн
1000+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+221.10 грн
83+147.15 грн
85+144.28 грн
144+82.05 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : onsemi / Fairchild ONSM-S-A0003584126-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 15789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.59 грн
10+147.21 грн
100+89.75 грн
800+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM Виробник : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM Виробник : ON-Semicoductor ONSM-S-A0003584126-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+55.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.