Продукція > ONSEMI > FDB3502
FDB3502

FDB3502 onsemi

fdb3502-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.92 грн
10+103.84 грн
100+70.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB3502 onsemi

Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDB3502 за ціною від 50.98 грн до 181.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB3502 FDB3502 Виробник : onsemi / Fairchild FDB3502_D-1806900.pdf MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.10 грн
10+118.44 грн
100+72.02 грн
800+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502 Виробник : ONSEMI FAIRS26341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDB3502 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502 Виробник : ON Semiconductor fdb3502-d.pdf
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502 Виробник : ONSEMI fdb3502-d.pdf FDB3502 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502 FDB3502 Виробник : onsemi fdb3502-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.